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工信部發布《光伏制造行業規范條件》
來源:CSPPLAZA光熱發電網 | 0評論 | 6978查看 | 2013-08-29 18:33:00    
  CSPPLAZA光熱發電網訊:工信部日前組織起草了《光伏制造行業規范條件(征求意見稿)》,于27日向社會發布并公開征求意見。根據規定,將嚴格控制新上單純擴大產能的光伏制造項目。

  工信部指出,為引導光伏制造行業加快轉型升級,推動光伏產業持續健康發展,根據國家有關法律法規及產業政策,按照優化布局、調整結構、控制總量、鼓勵創新、支持應用的原則,制定光伏制造行業規范條件。

  《條件》對光伏行業中多晶硅、硅棒、硅錠、硅片、電池、電池組件等制造領域的生產布局與項目設立、生產規模和工藝技術、資源綜合利用及能耗、環境保護和質量管理等方面做出了具體規定。

  根據規定,將嚴格控制新上單純擴大產能的光伏制造項目。對加強技術創新、降低生產成本等確有必要的新建和改擴建項目,報行業主管部門及投資主管部門備案。新建和改擴建光伏制造項目,最低資本金比例為20%。在生產規模上,多晶硅項目每期規模大于3000噸/年;硅錠年產能不低于1000噸;硅棒年產能不低于1000噸;硅片年產能不低于5000萬片;晶硅電池年產能不低于200MWp;晶硅電池組件年產能不低于200MWp;薄膜電池組件年產能不低于50MWp。同時,光伏制造企業每年用于研發及工藝改進的費用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元。

附全文:

  為深入貫徹落實科學發展觀,引導光伏制造行業加快轉型升級,推動我國光伏產業持續健康發展,根據國務院《關于促進光伏產業健康發展的若干意見》(國發[2013]24號)和國家有關法律法規及產業政策,按照優化布局、調整結構、控制總量、鼓勵創新、支持應用的原則,特制定光伏制造行業規范條件。

  一、生產布局與項目設立

  (一)光伏制造企業及項目應符合國家資源開發利用、環境保護、節能管理等法律法規要求,符合國家產業政策和相關產業規劃及布局要求,符合當地土地利用總體規劃、城市總體規劃、環境功能區劃和環境保護規劃等要求。

  (二)在國家法律法規、規章及規劃確定或省級以上人民政府批準的基本農田保護區、飲用水水源保護區、自然保護區、風景名勝區、重要生態功能保護區和生態環境敏感區、脆弱區等法律、法規規定禁止建設工業企業的區域不得建設光伏制造項目。上述區域內的現有企業應逐步遷出。

  (三)嚴格控制新上單純擴大產能的光伏制造項目。對加強技術創新、降低生產成本等確有必要的新建和改擴建項目,報行業主管部門及投資主管部門備案。新建和改擴建光伏制造項目,最低資本金比例為20%。

  二、生產規模和工藝技術

  (一)光伏制造企業應采用工藝先進、節能環保、產品質量好、生產成本低的生產技術和設備。

  (二)光伏制造企業應具備以下條件:在中華人民共和國境內依法注冊成立,具有獨立法人資格;具有太陽能光伏產品獨立生產、供應和售后服務能力;具有省級以上獨立研發機構、技術中心或高新技術企業資質,每年用于研發及工藝改進的費用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民幣;申報符合規范名單時上一年實際產量不低于本條第(三)款產能要求的50%。

  (三)光伏制造企業按產品類型應分別滿足以下要求:

  1.多晶硅項目每期規模大于3000噸/年;

  2.硅錠年產能不低于1000噸;

  3.硅棒年產能不低于1000噸;

  4.硅片年產能不低于5000萬片;

  5.晶硅電池年產能不低于200MWp;

  6.晶硅電池組件年產能不低于200MWp;

  7.薄膜電池組件年產能不低于50MWp。

  (四)現有光伏制造企業及項目產品應滿足以下要求:

  1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》(GB/T25074)1級品的要求;

  2.多晶硅片(含準單晶硅片)少子壽命大于2μs,電阻率在1-3Ω。cm,碳、氧含量分別小于16和18PPMA;單晶硅片少子壽命大于10μs,電阻率在1-3Ω。cm,碳、氧含量分別小于10和18PPMA;

  3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于16%和17%;

  4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉換效率分別不低于14.5%和15.5%;

  5.硅基、銅銦鎵硒(CIGS)、碲化鎘(CdTe)及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于8%、10%、11%、10%。

  (五)新建和改擴建企業及項目產品應滿足以下要求:

  1.多晶硅滿足《硅多晶》(GB/T12963)2級品以上要求;

  2.多晶硅片(含準單晶硅片)少子壽命大于2.5μs,電阻率在1-3Ω。cm,碳、氧含量分別小于8和6PPMA;單晶硅片少子壽命大于11μs,電阻率在1-3Ω。cm,碳、氧含量分別小于8和6PPMA;

  3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于18%和20%;

  4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉換效率分別不低于16.5%和17.5%;

  5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于12%、12%、13%、12%。

  (六)多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率在2年內分別不高于3.2%和4.2%,25年內不高于20%;薄膜電池組件衰減率在2年內不高于5%,25年內不高于20%。

  三、資源綜合利用及能耗

  (一)光伏制造企業和項目用地應符合國家已出臺的土地使用標準,嚴格保護耕地,節約集約用地。

  (二)光伏制造項目能耗應滿足以下要求:

  1.現有多晶硅項目還原電耗小于80千瓦時/千克,綜合電耗小于140千瓦時/千克;新建和改擴建項目還原電耗小于60千瓦時/千克,綜合電耗小于100千瓦時/千克;

  2.現有硅錠項目平均綜合能耗小于9千瓦時/千克,新建和改擴建項目小于7千瓦時/千克;如采用多晶鑄錠爐生產準單晶或高效多晶產品,項目平均綜合能耗的增加幅度不得超過0.5千瓦時/千克;

  3.現有硅棒項目平均綜合能耗小于50千瓦時/千克,新建和改擴建項目小于45千瓦時/千克;

  4.現有多晶硅片項目平均綜合能耗小于60萬千瓦時/百萬片,新建和改擴建項目小于55萬千瓦時/百萬片;現有單晶硅片項目平均綜合能耗小于40萬千瓦時/百萬片,新建和改擴建項目小于35萬千瓦時/百萬片;

  5.電池項目平均綜合能耗小于15萬千瓦時/ MWp;

  6.晶硅電池組件項目平均綜合能耗小于8萬千瓦時/ MWp;薄膜電池組件項目平均能耗小于50萬千瓦時/MWp。

  (三)光伏制造項目生產水耗應滿足以下要求:


  1.多晶硅項目水循環利用率不低于95%;

  2.硅片項目水耗低于1400噸/百萬片;

  3.電池項目水耗低于1700噸/MWp。

  (四)其他生產單耗需滿足國家相關標準。

  四、環境保護

  (一)新建和改擴建光伏制造項目應嚴格執行環境影響評價制度,未通過環境影響評價審批的項目不得開工建設。按照環境保護“三同時”要求,項目配套建設環境保護設施應依法申請項目竣工環境保護驗收,驗收合格后方可投入生產運行。企業應有健全的企業環境管理機構,制定有效的企業環境管理制度,定期開展清潔生產審核。

  (二)廢氣、廢水排放應符合國家和地方大氣及水污染物排放標準和總量控制要求;惡臭污染物排放應符合《惡臭污染物排放標準》(GB14554),對產生的工業固體廢物要依法貯存、處置或綜合利用,應符合《危險廢物貯存污染控制標準》(GB18597)和《一般工業固體廢物貯存、處置場污染控制標準》(GB18559)相關要求,SiCl4等危險廢物應委托具備相應處理能力的有資質單位進行妥善處置;廠界噪聲符合《工業企業廠界環境噪聲排放標準》(GB12348)。

  (三)鼓勵企業通過ISO14001環境管理體系認證、ISO14064溫室氣體核證、PAS2050/ISO14067碳足跡認證。

  (四)光伏制造項目應按照環境影響報告書(表)及其批復、國家或地方污染物排放(控制)標準、環境監測技術規范的要求,制定自行監測方案,開展自行監測工作,公開自行監測信息。

  五、質量管理

  (一)光
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